Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
C3M0032120D
Explicación
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Descripción detallada
N-Channel 1200 V 63A (Tc) 283W (Tc) Through Hole TO-247-3
Fabricación
Wolfspeed, Inc.
Plazo de entrega estándar
34 Weeks
Modelo edacad
C3M0032120D Models
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Wolfspeed, Inc.
Series
C3M™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 11.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+15V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3357 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
283W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
C3M0032120

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-3312-C3M0032120D
1697-C3M0032120D

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Wolfspeed, Inc. C3M0032120D

Documentos y medios de comunicación

Mfg Application Notes
1(20kW Full Bridge Resonant LLC Converter)
Featured Product
()
PCN Design/Specification
()
Article Library
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
HTML Datasheet
1(C3M0032120D)
EDA Models
1(C3M0032120D Models)

Cantidad y precio

Cantidad: 120
Precio unitario: $28.13358
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 30
Precio unitario: $30.009
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $36.2
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

-