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GermanyIPI100N12S305AKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPI100N12S305AKSA1
Explicación
MOSFET N-CHANNEL_100+
Descripción detallada
N-Channel 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11570 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI100N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IPI100N12S305AKSA1
INFINFIPI100N12S305AKSA1
SP001399692
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI100N12S305AKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx100N12S3-05)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 9/Sep/2019)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPB100N12S305ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 3,839
Precio unitario : $4.80000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,839
Precio unitario : $4.80000
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