Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPP230N06L3G
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
693
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
36W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

INFINFIPP230N06L3G
2156-IPP230N06L3G

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP230N06L3G

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 693
Precio unitario: $0.43
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 693

Alternativas

-
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