Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
RN2909(T5L,F,T)
Explicación
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
200MHz
Power - Max
200mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6
Base Product Number
RN2909

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Otros nombres

RN2909(T5LFT)CT
RN2909(T5LFT)TR
RN2909(T5LFT)DKR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN2909(T5L,F,T)

Documentos y medios de comunicación

-

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : DDA144EUQ-7-F
Fabricante : Diodes Incorporated
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.07290
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : NSVMUN5137DW1T1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.04121
Tipo de reemplazo : Similar