Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
HUF75631S3S
Explicación
N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Descripción detallada
N-Channel 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
398
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1220 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263AB (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
HUF75

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

FAIFSCHUF75631S3S
2156-HUF75631S3S

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF75631S3S

Documentos y medios de comunicación

-

Cantidad y precio

Cantidad: 398
Precio unitario: $0.75
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 398

Alternativas

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