Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
NE58219-T1-A
Explicación
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
Descripción detallada
RF Transistor NPN 12V 60mA 5GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19)
Fabricación
CEL
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
CEL
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - Transition
5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
-
Power - Max
100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)
60mA
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-75, SOT-416
Supplier Device Package
3-SuperMiniMold (19)
Base Product Number
NE58219

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Otros nombres

NE58219-T1-ACT
NE58219-T1-ATR
NE58219-T1-ADKR
NE58219T1A
NE58219-T1-A-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/CEL NE58219-T1-A

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(NE58219)
HTML Datasheet
1(NE58219)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : BFP760H6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 14,896
Precio unitario : $0.55000
Tipo de reemplazo : Similar