English
China
Rusia
Italy
Germany2N6792TX
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2N6792TX
Explicación
2A, 400V, 1.8OHM, N-CHANNEL
Descripción detallada
N-Channel 400 V 2A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
36
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
20W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-205AF (TO-39)
Package / Case
TO-205AF Metal Can
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
HARHAR2N6792TX
2156-2N6792TX
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation 2N6792TX
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 36
Precio unitario: $8.48
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 36
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 36
Alternativas
-