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GermanyIRF323
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF323
Explicación
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descripción detallada
N-Channel 350 V 2.8A 50W Through Hole TO-204AA (TO-3)
Fabricación
International Rectifier
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
433
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
International Rectifier
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
350 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.8A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-204AA (TO-3)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
2156-IRF323
IRFIRFIRF323
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRF323
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF332 Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 433
Precio unitario: $0.69
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 433
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 433
Alternativas
-