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GermanyIRL60S216
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRL60S216
Explicación
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IRL60S216 Models
Embalaje estándar
800
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15330 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IRL60S216
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRL60S216CT
INFINFIRL60S216
SP001573906
2156-IRL60S216
IRL60S216DKR
IRL60S216TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRL60S216
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRL60S(L)216)
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PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IRL60S(L)216)
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1(IRL60S216 Models)
Simulation Models
1(IRL60S_SL216 Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPB019N06L3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 7,726
Precio unitario : $3.62000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Cantidad disponible : 7,726
Precio unitario : $3.62000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended