Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
PHD78NQ03LT,118
Explicación
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 25 V 75A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount DPAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
107W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
PHD78

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

PHD78NQ03LT /T3-ND
PHD78NQ03LT /T3
934056888118

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PHD78NQ03LT,118

Documentos y medios de comunicación

Environmental Information
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPD090N03LGATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 94,226
Precio unitario : $0.76000
Tipo de reemplazo : Similar