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GermanySPW17N80C3A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPW17N80C3A
Explicación
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Descripción detallada
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
240
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SPW17N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPW17N80C3AX
SP000101842
SPW17N80C3AXK
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPW17N80C3A
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SPW17N80C3)
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1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPW17N80C3)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 470
Precio unitario : $5.24000
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Precio unitario : $26.35000
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