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GermanyFQB19N10LTM
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQB19N10LTM
Explicación
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQB19N10LTM Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FQB1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQB19N10LTM
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQB19N10L, FQI19N10L)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(FQB19N10L, FQI19N10L)
EDA Models
1(FQB19N10LTM Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRL530NSTRLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 21,950
Precio unitario : $1.43000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 21,950
Precio unitario : $1.43000
Tipo de reemplazo : Similar