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GermanySTB11NM60-1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STB11NM60-1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
STB11N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
STB11NM60-1-ND
497-5379-5
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STB11NM60-1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(ST(P,B)11NM60(FP,-1))
HTML Datasheet
1(ST(P,B)11NM60(FP,-1))
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STI13NM60N
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.05000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.05000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : FCI7N60
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 990
Precio unitario : $2.74000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 990
Precio unitario : $2.74000
Tipo de reemplazo : Similar