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GermanyIRF6711STR1PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6711STR1PBF
Explicación
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Descripción detallada
N-Channel 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Ta), 84A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ SQ
Package / Case
DirectFET™ Isometric SQ
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001527012
IRF6711STR1PBFTR
IRF6711STR1PBFCT
IRF6711STR1PBFDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6711STR1PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF6711S(TR)PbF)
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()
Featured Product
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PCN Obsolescence/ EOL
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HTML Datasheet
1(IRF6711S(TR)PbF)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRF6711STRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent