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GermanyBC847QAPN147
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BC847QAPN147
Explicación
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
9,812
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Power - Max
350mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN1010B-6
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
NEXNEXBC847QAPN147
2156-BC847QAPN147
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/NXP USA Inc. BC847QAPN147
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BC847QAPN)
HTML Datasheet
1(BC847QAPN)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-