Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPSA70R600CEAKMA1
Explicación
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Descripción detallada
N-Channel 700 V 10.5A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
474 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
86W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPSA70

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

SP001605364
IFEINFIPSA70R600CEAKMA1
2156-IPSA70R600CEAKMA1

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPSA70R600CEAKMA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IPSA70R600CE)
HTML Datasheet
1(IPSA70R600CE)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 700V CE Spice Model)

Cantidad y precio

Cantidad: 1500
Precio unitario: $0.41723
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1500

Alternativas

Modelo de producto : IPSA70R600P7SAKMA1
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 4,900
Precio unitario : $0.88000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended