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GermanyIRLZ34L
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLZ34L
Explicación
MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 60 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Through Hole TO-262-3
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IRLZ34
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRLZ34L
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLZ34S/L)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-