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GermanyPDTD123EU115
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PDTD123EU115
Explicación
TRANS PREBIAS
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 225 MHz 300 mW Surface Mount SOT-323
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
8,036
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
PDTD1xxxU
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
2.2 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
225 MHz
Power - Max
300 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
NEXNXPPDTD123EU115
2156-PDTD123EU115
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PDTD123EU115
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PDTD1zzzU Series)
HTML Datasheet
1(PDTD1zzzU Series)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-