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GermanySI1400DL-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SI1400DL-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
Descripción detallada
N-Channel 20 V 1.6A (Ta) 568mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
568mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-70-6
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Base Product Number
SI1400
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
SI1400DL-T1-GE3CT
2266-SI1400DL-T1-GE3
SI1400DLT1GE3
SI1400DL-T1-GE3DKR
SI1400DL-T1-GE3TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI1400DL-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SI1400DL)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 15/Sep/2017)
HTML Datasheet
1(SI1400DL)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDG311N
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar