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GermanyBFP182WE6327HTSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BFP182WE6327HTSA1
Explicación
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
Descripción detallada
RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT343-3D
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - Transition
8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain
22dB
Power - Max
250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package
PG-SOT343-3D
Base Product Number
BFP182
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
BFP182WE6327INCT
BFP 182W E6327-ND
BFP182WE6327HTSA1CT
BFP182WE6327INDKR
BFP182WE6327XT
BFP182WE6327INDKR-ND
BFP182WE6327HTSA1TR
BFP182WE6327INTR
BFP182WE6327
SP000011017
BFP 182W E6327
BFP182WE6327HTSA1DKR
BFP182WE6327INTR-ND
BFP182WE6327INCT-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Infineon Technologies BFP182WE6327HTSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BFP182W)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(BFP182W)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2SC5065-Y(TE85L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 4,925
Precio unitario : $0.44000
Tipo de reemplazo : Similar
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Modelo de producto : MRF455
Fabricante : MACOM Technology Solutions
Cantidad disponible : 88
Precio unitario : $62.18000
Tipo de reemplazo : Similar
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