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GermanyJANTXV2N6250
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
JANTXV2N6250
Explicación
TRANS NPN 275V 10A TO3
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 275 V 10 A 6 W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
100
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
275 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.25A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
8 @ 10A, 3V
Power - Max
6 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/510
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3
Supplier Device Package
TO-3 (TO-204AA)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
150-JANTXV2N6250
1086-21091-ND
1086-21091-MIL
1086-21091
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Microsemi Corporation JANTXV2N6250
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2N6249,50,51(T1))
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(2N6249,50,51(T1))
Cantidad y precio
-
Alternativas
-