Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
DMG3N60SCT
Explicación
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Fabricación
Diodes Incorporated
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Diodes Incorporated
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
354 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB (Type TH)
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
DMG3N60

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Diodes Incorporated DMG3N60SCT

Documentos y medios de comunicación

Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 2/Sep/2021)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IXTP4N80P
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.75000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STP3N80K5
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 841
Precio unitario : $1.51000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STP4NK80Z
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.94000
Tipo de reemplazo : Similar