English
China
Rusia
Italy
GermanyFQI13N06LTU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQI13N06LTU
Explicación
MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 60 V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
386
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FAIFSCFQI13N06LTU
2156-FQI13N06LTU-FS
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI13N06LTU
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQB13N06LTM)
Cantidad y precio
Cantidad: 386
Precio unitario: $0.78
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 386
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 386
Alternativas
-