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GermanySPP15P10P
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPP15P10P
Explicación
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Descripción detallada
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1.54mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
128W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP15P
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPP15P10PIN
SPP15P10PX
SPP15P10PXTIN
SP000014331
SPP15P10PIN-NDR
2156-SPP15P10P-IT
INFINFSPP15P10P
SPP15P10PXTIN-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP15P10P
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SPP15P10P G)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPP15P10P G)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-