Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
NTD4855N-1G
Explicación
MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 25 V 14A (Ta), 98A (Tc) 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta), 98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
NTD48

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

ONSONSNTD4855N-1G
2156-NTD4855N-1G-ON

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD4855N-1G

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(NTD4855N)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 07/Jul/2010)
HTML Datasheet
1(NTD4855N)

Cantidad y precio

Cantidad: 987
Precio unitario: $0.3
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 987

Alternativas

-