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GermanyBSS7728NH6327XTSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSS7728NH6327XTSA1
Explicación
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Descripción detallada
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
56 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT23
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
BSS7728NH6327XTSA1DKR
BSS7728NH6327XTSA1TR
SP000702640
BSS7728N H6327DKR-ND
BSS7728N H6327CT-ND
BSS7728NH6327XTSA1CT
BSS7728N H6327-ND
BSS7728NH6327
BSS7728N H6327
BSS7728N H6327CT
BSS7728N H6327DKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSS7728NH6327XTSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSS7728N)
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Cantidad y precio
-
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