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GermanyPSMN3R3-80ES,127
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PSMN3R3-80ES,127
Explicación
ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Descripción detallada
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
205
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9961 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
338W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
2156-PSMN3R3-80ES127
NEXNXPPSMN3R3-80ES,127
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PSMN3R3-80ES,127
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 205
Precio unitario: $1.47
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 205
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 205
Alternativas
-