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GermanyIXFN70N100X
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFN70N100X
Explicación
MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
Descripción detallada
N-Channel 1000 V 56A (Tc) 1200W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
47 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
89mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9150 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN70
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN70N100X
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXFN70N100X Datasheet)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(1000 V Ultra-Junction X-Class HiPerFET™ Power MOSFETs)
Cantidad y precio
Cantidad: 100
Precio unitario: $53.1217
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 10
Precio unitario: $59.024
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $64.93
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-