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GermanyAPT30SCD65B
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APT30SCD65B
Explicación
DIODE SIL CARBIDE 650V 46A TO247
Descripción detallada
Diode 650 V 46A Through Hole TO-247
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
46A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 30 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
600 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F
945pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-2
Supplier Device Package
TO-247
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
APT30SCD65B-ND
150-APT30SCD65B
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Microsemi Corporation APT30SCD65B
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 16/Oct/2017)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-