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GermanyTSM210N06CZ C0G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
TSM210N06CZ C0G
Explicación
MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
Descripción detallada
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
TSM210N06CZ C0G-ND
TSM210N06CZC0G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N06CZ C0G
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXFP220N06T3
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 20
Precio unitario : $4.58000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 20
Precio unitario : $4.58000
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