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GermanyPDTA113ZM315
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PDTA113ZM315
Explicación
TRANS PREBIAS
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount DFN1006-3
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
11,871
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
PDTA113Z
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
Power - Max
250 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
DFN1006-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.21.0095
Otros nombres
2156-PDTA113ZM315
NEXNXPPDTA113ZM315
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PDTA113ZM315
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PDTA113ZM315 Datasheet)
HTML Datasheet
1(PDTA113ZM315 Datasheet)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-