Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPZ60R037P7XKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Descripción detallada
N-Channel 650 V 76A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
240
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.48mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
121 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5243 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
255W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Package / Case
TO-247-4
Base Product Number
IPZ60R

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-IPZ60R037P7XKSA1-IT
IFEINFIPZ60R037P7XKSA1
SP001606064

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPZ60R037P7XKSA1

Documentos y medios de comunicación

-

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPZA60R037P7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 240
Precio unitario : $10.74000
Tipo de reemplazo : Similar