Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQA65N06
Explicación
MOSFET N-CH 60V 72A TO3P
Descripción detallada
N-Channel 60 V 72A (Tc) 183W (Tc) Through Hole TO-3P
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQA65N06 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
183W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
FQA6

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQA65N06

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQA65N06)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(FQA65N06)
EDA Models
1(FQA65N06 Models)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : 2SK1317-E
Fabricante : Renesas Electronics Corporation
Cantidad disponible : 5,614
Precio unitario : $6.59000
Tipo de reemplazo : Similar