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GermanyCSD25302Q2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
CSD25302Q2
Explicación
MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
Descripción detallada
P-Channel 20 V 5A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-SON
Fabricación
Texas Instruments
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
CSD25302Q2 Models
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Texas Instruments
Series
NexFET™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.4W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
6-SON
Package / Case
6-SMD, Flat Leads
Base Product Number
CSD2530
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
296-25444-1
-CSD25302Q2-NDR
-296-25444-1-ND
296-25444-6
296-25444-2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Texas Instruments CSD25302Q2
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(CSD25302Q2)
Product Training Modules
1(NexFET MOSFET Technology)
Video File
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 20/Feb/2014)
PCN Design/Specification
1(Marking Standardization 29/Jan/2015)
HTML Datasheet
1(CSD25302Q2)
EDA Models
1(CSD25302Q2 Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : CSD25310Q2
Fabricante : Texas Instruments
Cantidad disponible : 46,096
Precio unitario : $0.60000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 46,096
Precio unitario : $0.60000
Tipo de reemplazo : Direct