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GermanyPSMN2R0-30BL,118
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PSMN2R0-30BL,118
Explicación
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
Nexperia USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
800
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6810 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
211W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
PSMN2R0
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
568-9483-2
568-9483-1
568-9483-2-ND
PSMN2R030BL118
1727-7113-1
1727-7113-2
568-9483-1-ND
568-9483-6
1727-7113-6
NEXNEXPSMN2R0-30BL,118
568-9483-6-ND
934066341118
2156-PSMN2R0-30BL,118-NEX
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30BL,118
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PSMN2R0-30BL)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 28/Dec/2021)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(PSMN2R0-30BL)
Cantidad y precio
Cantidad: 1
Precio unitario: $2.22
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $2.22
Embalaje: Digi-Reel®
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Digi-Reel®
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-