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GermanyIRF6646TR1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6646TR1
Explicación
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Descripción detallada
N-Channel 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2060 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MN
Package / Case
DirectFET™ Isometric MN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001576866
IRF6646TR1-ND
IRF6646
IRF6646TR1CT
IRF6646TR1INACTIVE
IRF6646TR1TR
IRF6646-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6646TR1
Documentos y medios de comunicación
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()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRF6646TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 6,589
Precio unitario : $2.85000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 6,589
Precio unitario : $2.85000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent