Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
TRS12E65C,S1Q
Explicación
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Descripción detallada
Diode 650 V 12A Through Hole TO-220-2L
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 12 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
90 µA @ 170 V
Capacitance @ Vr, F
65pF @ 650V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2L
Operating Temperature - Junction
175°C (Max)
Base Product Number
TRS12E65

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Otros nombres

TRS12E65CS1Q
TRS12E65C,S1Q(S

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q

Documentos y medios de comunicación

PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : TRS12E65F,S1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 3
Precio unitario : $2.35000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STPSC12H065D
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 976
Precio unitario : $4.37000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : NXPSC126506Q
Fabricante : WeEn Semiconductors
Cantidad disponible : 990
Precio unitario : $6.18000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent