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GermanySPP04N80C3XK
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPP04N80C3XK
Explicación
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
63W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP04N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000013706
2156-SPP04N80C3XK
IFEINFSPP04N80C3XK
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP04N80C3XK
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SPP04N80C3XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 600
Precio unitario : $1.65000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 600
Precio unitario : $1.65000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent