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GermanySIHB22N60EL-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIHB22N60EL-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Descripción detallada
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
28 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
197mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1690 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB22
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB22N60EL-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIHB22N60EL)
HTML Datasheet
1(SIHB22N60EL)
Cantidad y precio
Cantidad: 3000
Precio unitario: $2.08464
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000
Alternativas
Modelo de producto : IXTA24N65X2
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 50
Precio unitario : $5.50000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 50
Precio unitario : $5.50000
Tipo de reemplazo : Similar