Última actualización
20250811
Idiomas
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Información de la industria
Consulta de inventario
HGTG32N60E2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
HGTG32N60E2
Explicación
50A, 600V N-CHANNEL IGBT
Descripción detallada
IGBT 600 V 50 A 208 W Through Hole TO-247
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
38
Inventario de proveedores
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Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 32A
Power - Max
208 W
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Gate Charge
265 nC
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
HARHARHGTG32N60E2
2156-HGTG32N60E2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Harris Corporation HGTG32N60E2
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 38
Precio unitario: $7.95
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 38
Alternativas
-
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