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GermanyIPB110N06L G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPB110N06L G
Explicación
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Descripción detallada
N-Channel 60 V 78A (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 30 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB110N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPB110N06LGINCT
IPB110N06LGINDKR
IPB110N06L G-ND
IPB110N06LGXT
SP000204193
IPB110N06LGINTR
IPB110N06LG
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB110N06L G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPB,IPP110N06L G)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPB,IPP110N06L G)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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