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GermanySI3948DV-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SI3948DV-T1-GE3
Explicación
MOSFET 2N-CH 30V 6TSOP
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
1.15W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP
Base Product Number
SI3948
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SI3948DV-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SI3948DV)
HTML Datasheet
1(SI3948DV)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDC6561AN
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 6,704
Precio unitario : $0.66000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 6,704
Precio unitario : $0.66000
Tipo de reemplazo : Similar