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GermanyPD20010TR-E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PD20010TR-E
Explicación
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Descripción detallada
RF Mosfet 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
600
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Frequency
2GHz
Gain
11dB
Voltage - Test
13.6 V
Current Rating (Amps)
5A
Noise Figure
-
Current - Test
150 mA
Power - Output
10W
Voltage - Rated
40 V
Package / Case
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Supplier Device Package
PowerSO-10RF (Formed Lead)
Base Product Number
PD20010
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
PD20010TRE
497-10096-1
497-10096-2
PD20010TR-E-ND
497-10096-6
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/STMicroelectronics PD20010TR-E
Documentos y medios de comunicación
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HTML Datasheet
1(PD20010-E)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : ON5295,127
Fabricante : NXP USA Inc.
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
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