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GermanyFQPF19N20T
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQPF19N20T
Explicación
MOSFET N-CH 100V 11.8A TO220F
Descripción detallada
N-Channel 100 V 11.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQPF19N20T Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
FQPF1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQPF19N20T
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQPF19N20 Datasheet)
Environmental Information
()
EDA Models
1(FQPF19N20T Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRL520NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 6,043
Precio unitario : $0.91000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 6,043
Precio unitario : $0.91000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : RCX200N20
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 118
Precio unitario : $1.57000
Tipo de reemplazo : Similar
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Precio unitario : $1.57000
Tipo de reemplazo : Similar