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GermanyIPC302N12N3X1SA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPC302N12N3X1SA1
Explicación
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Descripción detallada
N-Channel 120 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
28 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 275µA
Vgs (Max)
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
Sawn on foil
Package / Case
Die
Base Product Number
IPC302N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPC302N12N3X1SA1-ND
SP000717450
448-IPC302N12N3X1SA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPC302N12N3X1SA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPC302N12N3)
HTML Datasheet
1(IPC302N12N3)
Cantidad y precio
Cantidad: 4425
Precio unitario: $3.5189
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 4425
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 4425
Alternativas
-