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GermanyFDR840P
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDR840P
Explicación
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
Descripción detallada
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
370
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4481 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SuperSOT™-8
Package / Case
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
2156-FDR840P-FSTR
FAIFSCFDR840P
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDR840P
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDR840P)
Cantidad y precio
Cantidad: 370
Precio unitario: $0.81
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 370
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 370
Alternativas
-