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GermanyJAN2N2060
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
JAN2N2060
Explicación
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 600mW Through Hole TO-78-6
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
30 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Power - Max
600mW
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/270
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-78-6 Metal Can
Supplier Device Package
TO-78-6
Base Product Number
2N2060
Clasificaciones medioambientales y de exportación
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/Microchip Technology JAN2N2060
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly Site 31/Jan/2024)
Cantidad y precio
Cantidad: 100
Precio unitario: $51.73
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 100
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 100
Alternativas
-