Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BUK7E1R9-40E,127
Explicación
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 40 V 120A (Tc) 324W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
Nexperia USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
324W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

568-10286
568-10286-5-ND
NEXNEXBUK7E1R9-40E,127
934066982127
2156-BUK7E1R9-40E,127-NEX
BUK7E1R9-40E,127-ND
568-10286-ND
568-10286-5
1727-1131

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. BUK7E1R9-40E,127

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(BUK7E1R9-40E)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 29/Jun/2020)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(BUK7E1R9-40E)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPI120N04S402AKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 500
Precio unitario : $3.04000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STI270N4F3
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 888
Precio unitario : $4.49000
Tipo de reemplazo : Similar