Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRF6626
Explicación
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Descripción detallada
N-Channel 30 V 16A (Ta), 72A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,800
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta), 72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2380 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ ST
Package / Case
DirectFET™ Isometric ST

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

IRF6626TR
SP001528826
IRF6626CT

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6626

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRF6626)
Other Related Documents
()
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF6626)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : PSMN5R0-30YL,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 2,980
Precio unitario : $0.94000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : PSMN6R0-30YL,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 2,130
Precio unitario : $0.78000
Tipo de reemplazo : Similar