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GermanyIRFR13N20DPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFR13N20DPBF
Explicación
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 200 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IRFR13N20DPBF
SP001552110
INFINFIRFR13N20DPBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFR13N20DPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF(R,U)13N20DPbF)
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PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRF(R,U)13N20DPbF)
Simulation Models
1(IRFR13N20DTRPBF Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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